Nylig utformet et forskerteam fra Xiamen University innovativt en avfaset pyramide/bord-formet kunstig nanostruktur. Gjennom kombinasjonen av nanoimprinting, tørr etsingsteknologi og våtetseprosess er lysemisjonsbølgelengden så kort som 234 nm (AlN )8/(GaN)2 Det aktive laget danner (0001), (10-13) og (20- 21) grupper av krystallplan med fint kontrollerbare vinkler. Interessant nok kan disse krystallplanene kontrollere forplantnings- og utvinningsmodusen til dype ultrafiolette lysbølger i nanostrukturer, effektivt bryte gjennom begrensningen av den lille kjeglevinkelen til utgående lys i tradisjonelle plane strukturer, og i stor grad forbedre utvinningseffektiviteten til dypt ultrafiolett lys.
Forskningen viser at etter introduksjonen av den -kontrollerbare inverterte pyramide-/bordstrukturen av krystallflaten, forsterkes det TM- og TE-polariserte lyset med henholdsvis 5,6 ganger og 1,1 ganger sammenlignet med den plane strukturen og den totale lysstyrken intensiteten ved den dype ultrafiolette bølgelengden på 234 nm økes med nesten 2 prosent. ganger. Dette forskningsarbeidet gir en ny idé for å forbedre effektiviteten til enheter som sender ut dypt ultrafiolett kort-lys-, og forventes å bli utvidet til optoelektroniske enheter som lysdioder i mikro-størrelse og dype ultrafiolette detektorer.
Figur 1. (a) Skjematisk diagram av fabrikasjonsprosessen av nanopore-arrayer ved nanoimprinting; (b)-(c) Strukturell karakterisering av (AlN)8/(GaN)2 ultrakorte-periode supergitter; (d)-(f) Mikroskopiske former av nanohull og (g)-(h) inverterte pyramide/bord nanohull-arrayer
Figur 2. (a) Fotoluminescensspektra for konvensjonelle plane, sirkulære nanohull og avfasede pyramide/bord nanohull; (b) Intern kvanteeffektivitet, TE/TM lysekstraksjonseffektivitet og generell lysintensitetsforbedring av de tre nanostrukturene Faktorfordelingsplott.
The related research results were published in the Royal Society of Chemistry journal Nanoscale under the title of "Enhancing deep-UV emission at 234 nm by introducing a truncated pyramid AlN/GaN nanostructure with fine-tuned multiple facets" and recommended as the cover research work of the journal ( Back Inside Cover). The relevant testing work was supported by the research group of Professor Yang Zhizhong of National Taiwan University.
